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其他一些材料如在费米能级附近具有较高电导率和合适载流子密度的拓扑半金属等，小桥从其拓扑保护的表面态出发，为低温电化学储能吸引了候选材料。Zn2+插层到E-Bi2Se3正极后，流水Zn2+倾向于一侧靠近Se原子，拉长了Bi-Se键，导致沿c轴的晶格参数增大。

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